MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS4409DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 59.2 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 279-9988
- Nº ref. fabric.:
- SISS4409DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,54 € | 2,70 € |
| 50 - 95 | 0,454 € | 2,27 € |
| 100 - 245 | 0,448 € | 2,24 € |
| 250 - 995 | 0,442 € | 2,21 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9988
- Nº ref. fabric.:
- SISS4409DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.009Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 126nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.009Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 126nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal P y el transistor en él está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia de nueva generación
Probado al 100 % Rg y UIS
Producto FOM RDS x Qg ultrabajo
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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