MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5112DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 40.7 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 279-9996
- Nº ref. fabric.:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,896 € | 9,48 € |
| 50 - 95 | 1,612 € | 8,06 € |
| 100 - 245 | 1,432 € | 7,16 € |
| 250 - 995 | 1,404 € | 7,02 € |
| 1000 + | 1,372 € | 6,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9996
- Nº ref. fabric.:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0149Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0149Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x Qg cifra de mérito
Probado al 100 % Rg y UIS
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