MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 40.7 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.875,00 €

(exc. IVA)

2.268,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,625 €1.875,00 €

*precio indicativo

Código RS:
279-9995
Nº ref. fabric.:
SISS5112DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SISS

Encapsulado

1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0149Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x Qg cifra de mérito

Probado al 100 % Rg y UIS

Enlaces relacionados