MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 279-9994
- Nº ref. fabric.:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,075 € | 8,30 € |
| 60 - 96 | 1,558 € | 6,23 € |
| 100 - 236 | 1,383 € | 5,53 € |
| 240 - 996 | 1,353 € | 5,41 € |
| 1000 + | 1,323 € | 5,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9994
- Nº ref. fabric.:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0126Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0126Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x Qg cifra de mérito
Probado al 100 % Rg y UIS
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