MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS4409DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 59.2 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.614,00 €

(exc. IVA)

1.953,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,538 €1.614,00 €

*precio indicativo

Código RS:
279-9987
Nº ref. fabric.:
SISS4409DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

59.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

1212-8S

Serie

SISS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

126nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal P y el transistor en él está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia de nueva generación

Probado al 100 % Rg y UIS

Producto FOM RDS x Qg ultrabajo

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

Enlaces relacionados