MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26.2 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8349
Nº ref. fabric.:
SISS5710DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0315Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

54.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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