MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26.2 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 268-8349
- Nº ref. fabric.:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 50 - 95 | 2,016 € | 10,08 € |
| 100 - 245 | 1,622 € | 8,11 € |
| 250 - 995 | 1,588 € | 7,94 € |
| 1000 + | 1,198 € | 5,99 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8349
- Nº ref. fabric.:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0315Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0315Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.
Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
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