MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS588DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 58.1 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
239-5405
Nº ref. fabric.:
SiSS588DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

SIS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.008Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 58,1 A. Se utiliza para la rectificación síncrona, interruptores de lado primario, convertidores dc/dc, interruptores de intercambio en caliente y OR, fuentes de alimentación, control de accionamiento de motor y gestión de baterías

Valor de mérito (FOM) muy bajo RDS x Qg

Ajustado para el mínimo RDS x Qoss FOM

Probado al 100 % Rg y UIS

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