MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS66DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 178.3 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
281-6039
Número de artículo Distrelec:
301-56-785
Nº ref. fabric.:
SISS66DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

178.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

SIS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00138Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay con diodo Schottky tiene aplicaciones en rectificación síncrona, convertidor de bajada síncrono y conversiones dc/dc.

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