MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8347
Nº ref. fabric.:
SISS5708DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme a RoHS

100% probado por UIS

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