MOSFET Vishay, N-Canal SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 268-8347
- Nº ref. fabric.:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 268-8347
- Nº ref. fabric.:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 150 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 33.8 A | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 150 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 33.8 A | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
- COO (País de Origen):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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