MOSFET Vishay SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33,8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos

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Código RS:
268-8346
Nº ref. fabric.:
SISS5708DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

33,8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

Silicio

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento

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