MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5808DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 66.6 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines

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Código RS:
280-0002
Nº ref. fabric.:
SISS5808DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

1212-8S

Serie

SISS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00745Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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