MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal STMicroelectronics MASTERGAN4LTR, VDSS 650 V, ID 6.5 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines
- Código RS:
- 287-7043
- Nº ref. fabric.:
- MASTERGAN4LTR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 287-7043
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- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | QFN-9 | |
| Serie | MASTERG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 31 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 9mm | |
| Anchura | 9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ECOPACK | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado QFN-9 | ||
Serie MASTERG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 31 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 9mm | ||
Anchura 9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ECOPACK | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 225 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.
Pérdida de recuperación inversa cero
Protección UVLO en VCC
Diodo de arranque interno
Función de enclavamiento
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