MOSFET Infineon IRFP250NPBF, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 541-0042
Nº ref. fabric.:: IRFP250NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP250NPBF, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple

6 Entrega en 24 horas

4 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio Unidad

2,53 €

(exc. IVA)

3,06 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	2,53 €
10 - 24	2,40 €
25 - 49	2,30 €
50 - 99	2,20 €
100 +	2,02 €

Código RS:: 541-0042
Nº ref. fabric.:: IRFP250NPBF
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Código RS:: 541-0042
Nº ref. fabric.:: IRFP250NPBF
Fabricante:: Infineon

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	214 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	123 nC @ 10 V
Longitud	15.9mm
Material del transistor	Si
Altura	20.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	75 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	214 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	123 nC @ 10 V
Longitud	15.9mm
Material del transistor	Si
Altura	20.3mm
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