MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-5019
- Nº ref. fabric.:
- IRFP260NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 25 unidades)*
69,90 €
(exc. IVA)
84,575 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 575 unidad(es) más para enviar a partir del 07 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,796 € | 69,90 € |
| 50 - 100 | 2,656 € | 66,40 € |
| 125 - 225 | 2,544 € | 63,60 € |
| 250 - 475 | 2,433 € | 60,83 € |
| 500 + | 2,265 € | 56,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-5019
- Nº ref. fabric.:
- IRFP260NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 234nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 234nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 50 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IRFP260NPBF
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de alta potencia y ofrece eficiencia y fiabilidad en diversos sistemas electrónicos. Con su diseño en modo de mejora y sus sólidas capacidades de manejo de corriente, desempeña un papel crucial en la optimización del rendimiento de los circuitos, al tiempo que gestiona eficazmente la disipación térmica.
Características y ventajas
• Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 50 A para un gran rendimiento
• Funciona eficazmente con una tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V
• El diseño del modo de mejora ofrece mayor control y versatilidad
• El bajo Rds(on) de 40mΩ reduce las pérdidas de energía
• Diseñado para montaje pasante, lo que facilita la instalación
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de alimentación para gestionar corrientes elevadas
• Adecuado para automoción que requieren componentes electrónicos duraderos
• Aplicación en equipos industriales para un control eficaz de la potencia
• Habituales en los sistemas de energía renovable para mejorar la eficiencia
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
La disipación de potencia puede alcanzar hasta 300 W, lo que garantiza un rendimiento eficiente en condiciones de carga elevada.
¿Cómo beneficia la baja Rds(on) a la eficiencia del circuito?
El bajo Rds(on) de 40mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia global y minimizando la generación de calor durante el funcionamiento.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar este MOSFET en aplicaciones de potencia?
Este MOSFET proporciona una elevada corriente de drenaje continua y funciona eficazmente en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia.
¿Es fácil de instalar con otros componentes en un circuito?
El tipo de montaje con orificios pasantes simplifica la integración en diversos diseños de circuitos, permitiendo un montaje sencillo con los componentes existentes.
¿Cómo afecta el diseño del modo de mejora al rendimiento?
El diseño de modo de mejora garantiza que el dispositivo sólo conduce cuando se aplica suficiente tensión de puerta, lo que mejora la eficiencia de conmutación y reduce el flujo de corriente no deseado durante los periodos inactivos.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-247 de 3 pines