MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFIB7N50APBF, VDSS 500 V, ID 6.6 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 541-1966
- Nº ref. fabric.:
- IRFIB7N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
4,06 €
(exc. IVA)
4,91 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 447 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,06 € |
| 10 - 49 | 3,53 € |
| 50 - 99 | 3,36 € |
| 100 - 249 | 3,16 € |
| 250 + | 2,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 541-1966
- Nº ref. fabric.:
- IRFIB7N50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | IRFI | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Altura | 9.8mm | |
| Longitud | 10.63mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie IRFI | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Altura 9.8mm | ||
Longitud 10.63mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V TO-220FP config. Simple
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-220FP de 3 pines