MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 542-9844
- Nº ref. fabric.:
- IRFPC50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
6,31 €
(exc. IVA)
7,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Disponible(s) 10 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Última(s) 90 unidad(es) para enviar desde el 05 de febrero de 2026
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,31 € |
| 10 - 49 | 5,94 € |
| 50 - 99 | 5,36 € |
| 100 - 249 | 5,05 € |
| 250 + | 4,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 542-9844
- Nº ref. fabric.:
- IRFPC50APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IRFPC50A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 580mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 20.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IRFPC50A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 580mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 20.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET ROHM R6050JNZ4C13 ID 50 A TO-247
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-247 de 3 pines
