MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS8884, VDSS 30 V, ID 8.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
671-0722
Nº ref. fabric.:
FDS8884
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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