MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQB50N06LTM, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 671-0902
Nº ref. fabric.:: FQB50N06LTM
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQB50N06LTM, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	1,456 €	7,28 €
50 - 95	1,256 €	6,28 €
100 - 495	1,088 €	5,44 €
500 - 995	0,958 €	4,79 €
1000 +	0,872 €	4,36 €

*precio indicativo

Código RS:: 671-0902
Nº ref. fabric.:: FQB50N06LTM
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	52A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	QFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	21mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	24.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.75W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Anchura	9.65 mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 52A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie QFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.75W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Anchura 9.65 mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de canal N QFET®, superior a 31 A, Fairchild Semiconductor

El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQB50N06LTM, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

MOSFET de canal N QFET®, superior a 31 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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