MOSFET, N-Canal DiodesZetex ZXMN10A25GTA, VDSS 100 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 708-2551
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN10A25GTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Consigue un descuento por cantidad
Añade 25 más para ahorrar 5,65 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,26 €
(exc. IVA)
13,63 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 20 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,252 € | 11,26 € | - |
| 25 - 45 | 2,026 € | 10,13 € | 5,65 € |
| 50 + | 1,80 € | 9,00 € | 22,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 708-2551
- Nº ref. fabric.:
- ZXMN10A25GTA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | ZXMN10A25G | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.9W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie ZXMN10A25G | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.9W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 70 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines