MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2325DS-T1-E3, VDSS 150 V, ID 530 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
710-3263
Nº ref. fabric.:
SI2325DS-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

530mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SOT-23

Serie

Si2325DS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

750mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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