Transistor MOSFET Vishay SI2301BDS-T1-E3, VDSS 20 V, ID 2.2 A, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
710-4660
Nº ref. fabric.:
SI2301BDS-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,5 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Longitud

3.04mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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