MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 737-7225
Nº ref. fabric.:: IRLML6344TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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500 - 980	0,173 €	3,46 €
1000 - 1980	0,162 €	3,24 €
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*precio indicativo

Código RS:: 737-7225
Nº ref. fabric.:: IRLML6344TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	37mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Anchura	1.4 mm
	Estándar de automoción	No
	Distrelec Product Id	304-45-318

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Anchura 1.4 mm
	Estándar de automoción No
	Distrelec Product Id 304-45-318

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML6344TRPBF

Este MOSFET es un dispositivo de montaje superficial de canal N de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la electrónica y la automatización. Diseñado con un encapsulado compacto SOT-23, mide 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura. Presenta un excelente rendimiento térmico, con un rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C.

Características y ventajas

• Ofrece una corriente de drenaje continua de 5 A para un rendimiento robusto

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V admite varios requisitos

• El bajo RDS(on) de 29mΩ a VGS = 4,5V reduce las pérdidas de potencia

• El amplio rango de tensión umbral de puerta permite un funcionamiento flexible

• La eficiente capacidad de disipación de potencia de 1,3 W aumenta la fiabilidad

Aplicaciones

• Ideal para la conmutación de cargas de microcontroladores en sistemas electrónicos

• Utilizado en soluciones de gestión de la energía para automoción

• Eficaz en convertidores CC-CC para una conversión eficiente de la energía

• Adecuado para sistemas de gestión de baterías para mejorar el rendimiento

• Eficaz en circuitos de control de motores para tareas de automatización

¿Qué importancia tiene el bajo valor de RDS(on)?

El bajo valor RDS(on) indica menores pérdidas de conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia, especialmente en aplicaciones de alta corriente. Esta característica es esencial para reducir la generación de calor en la electrónica de potencia.

¿Qué rango de tensión puede aplicarse a la unión puerta-fuente?

La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±12 V, lo que permite flexibilidad en las condiciones de conducción al tiempo que garantiza la integridad del dispositivo dentro de los límites nominales.

¿Cómo se comporta el aparato a altas temperaturas?

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °C, el MOSFET está diseñado para soportar entornos difíciles, garantizando un funcionamiento fiable en aplicaciones exigentes.

¿Qué ventajas ofrece el diseño de montaje en superficie?

El diseño de montaje en superficie SOT-23 permite diseños de circuitos compactos y mejora la gestión térmica, por lo que resulta ideal para los conjuntos electrónicos modernos.