MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCPF16N60NT, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-220F, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 739-6165
- Nº ref. fabric.:
- FCPF16N60NT
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 739-6165
- Nº ref. fabric.:
- FCPF16N60NT
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220F | |
| Serie | SupreMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 199mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30, -30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 15.9mm | |
| Longitud | 10.16mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220F | ||
Serie SupreMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30, -30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 15.9mm | ||
Longitud 10.16mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET SuperMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild presenta una nueva generación de MOSFET de superunión de 600 V - SupreMOS®.
La combinación de su baja RDS(on) y carga de puerta total proporciona una Figura de mérito (FOM) un 40 por ciento más baja en comparación con los MOSFET SuperFETTM de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de puerta baja para el mismo RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y proporciona un 20 por ciento menos de pérdidas de conmutación y conducción, lo que resulta en una mayor eficiencia.
Estas características permiten que las fuentes de alimentación cumplan la clasificación ENERGY STAR® 80 PLUS Gold para PC de sobremesa y la clasificación Platinum para servidores.
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FCPF600N60Z ID 7 TO-220F de 3 pines config. Simple
- MOSFET onsemi FDPF5N60NZ ID 4 TO-220F de 3 pines config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF7N65C ID 7 A config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF30N06L ID 22 A config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF7N80C ID 6.6 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF6N80C ID 5.5 A config. Simple
- MOSFET onsemi FCPF650N80Z ID 8 A , config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF20N06L ID 15 TO-220F de 3 pines config. Simple