MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMG4466SSS-13, VDSS 30 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 751-4105
- Nº ref. fabric.:
- DMG4466SSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
6,60 €
(exc. IVA)
7,975 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1750 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,264 € | 6,60 € |
| 125 + | 0,143 € | 3,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 751-4105
- Nº ref. fabric.:
- DMG4466SSS-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | DMG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.42W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 3.95 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie DMG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.42W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 3.95 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines