MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN4800LSSL-13, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 823-3233
- Nº ref. fabric.:
- DMN4800LSSL-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
22,10 €
(exc. IVA)
26,75 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2250 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,442 € | 22,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 823-3233
- Nº ref. fabric.:
- DMN4800LSSL-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.46W | |
| Tensión directa Vf | 0.94V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.46W | ||
Tensión directa Vf 0.94V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.95mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines