Nº ref. fabric.

MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC10A07N8TC, VDSS 100 V, ID 850 mA, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config.

Código RS:: 751-5332
Nº ref. fabric.:: ZXMHC10A07N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC10A07N8TC, VDSS 100 V, ID 850 mA, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config.

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Código RS:: 751-5332
Nº ref. fabric.:: ZXMHC10A07N8TC
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	850mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.45mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.36W
	Configuración de transistor	Puente completo
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Anchura	4 mm
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Número de elementos por chip	4
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 850mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.45mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.36W
	Configuración de transistor Puente completo
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Anchura 4 mm
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Número de elementos por chip 4
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC10A07N8TC, VDSS 100 V, ID 850 mA, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config.

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Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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