MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal ZXMHC10A07N8TC, VDSS 100 V, ID 850 mA, SOIC, Mejora de 8 pines, 4, config.

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Código RS:
751-5332
Nº ref. fabric.:
ZXMHC10A07N8TC
Fabricante:
DiodesZetex
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Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

850mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.45mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Tensión directa Vf

0.95V

Configuración de transistor

Puente completo

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Puente H con modo de mejora complementaria MOSFET, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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