MOSFET, N-Canal Infineon BSC093N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 752-8164
- Nº ref. fabric.:
- BSC093N04LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,66 €
(exc. IVA)
6,85 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 20.450 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,132 € | 5,66 € |
| 50 - 245 | 0,948 € | 4,74 € |
| 250 - 1245 | 0,62 € | 3,10 € |
| 1250 - 2495 | 0,49 € | 2,45 € |
| 2500 + | 0,458 € | 2,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 752-8164
- Nº ref. fabric.:
- BSC093N04LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 49 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - BSC093N04LSGATMA1
Este MOSFET está diseñado para una gestión y control eficientes de la potencia, desempeñando un papel importante en aplicaciones de automatización y eléctricas que requieren un alto rendimiento. Su integración mejora la eficiencia de los circuitos y contribuye a la fiabilidad y capacidad de respuesta del sistema en diversos entornos.
Características y ventajas
• Proporciona una corriente de drenaje continua máxima de 49 A
• Funciona eficazmente en un rango de tensión de 40 V
• La baja resistencia de drenaje-fuente mejora el rendimiento
• Admite el diseño de montaje en superficie para facilitar la integración
• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de +150°C
• Adecuado para diversas aplicaciones gracias a un amplio rango de tensión umbral de puerta
Aplicaciones
• Ideal para potencia en automatización y robótica
• Utilizado en sistemas de recarga de vehículos eléctricos
• Adecuado para tareas de alimentación y conversión
• Aplicación en circuitos de control de motores y accionamientos
• Se utiliza en telecomunicaciones para una gestión eficaz de las señales
¿Qué tipo de carga puede soportar eficazmente este aparato?
Puede gestionar cargas de hasta 49 A, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta corriente en diversos sectores.
¿Es compatible con la tecnología de montaje en superficie?
Sí, cuenta con un diseño de montaje en superficie que facilita la instalación directa en placas de circuito impreso.
¿Cuáles son las limitaciones de tensión de puerta de este componente?
El dispositivo tiene límites de voltaje de fuente de puerta de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad en el diseño de circuitos.
¿Puede funcionar en condiciones de temperatura extremas?
Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su funcionalidad en entornos adversos.
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines