MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB28N30TM, VDSS 300 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 759-8970
- Nº ref. fabric.:
- FDB28N30TM
- Fabricante:
- onsemi
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- 759-8970
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 129mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 129mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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