MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDB28N30TM, VDSS 300 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
759-8970
Nº ref. fabric.:
FDB28N30TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Serie

UniFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

129mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.4V

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

11.33 mm

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor


El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.

Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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