MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC86102L, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, Potencia 33 de 8 pines
- Código RS:
- 759-9550
- Nº ref. fabric.:
- FDMC86102L
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
4,01 €
(exc. IVA)
4,852 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Existencias limitadas
- Disponible(s) 704 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,005 € | 4,01 € |
| 20 - 198 | 1,73 € | 3,46 € |
| 200 - 998 | 1,495 € | 2,99 € |
| 1000 - 1998 | 1,315 € | 2,63 € |
| 2000 + | 1,20 € | 2,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 759-9550
- Nº ref. fabric.:
- FDMC86102L
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | Potencia 33 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 39mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado Potencia 33 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, Potencia 33 de 8 pines
- MOSFET trinchera de potencia de doble canal N onsemi VDSS 40 V Potencia 33, Mejora de
- MOSFET trinchera de potencia de doble canal N onsemi VDSS 40 V Potencia 33
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, TO-220F de 3 pines