Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC86102L, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, Potencia 33 de 8 pines

Código RS:: 759-9550
Nº ref. fabric.:: FDMC86102L
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC86102L, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, Potencia 33 de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 18	1,865 €	3,73 €
20 - 198	1,61 €	3,22 €
200 - 998	1,39 €	2,78 €
1000 - 1998	1,225 €	2,45 €
2000 +	1,115 €	2,23 €

*precio indicativo

Código RS:: 759-9550
Nº ref. fabric.:: FDMC86102L
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	Potencia 33
	Serie	PowerTrench
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	39mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Disipación de potencia máxima Pd	41W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.75mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado Potencia 33
	Serie PowerTrench
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Disipación de potencia máxima Pd 41W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.75mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMC86102L, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, Potencia 33 de 8 pines

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MOSFET de canal N PowerTrench®, de 20 A a 59,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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