MOSFET trinchera de potencia de doble canal N onsemi, Tipo N-Canal FDMC8030, VDSS 40 V, ID 12 A, Potencia 33, Mejora de

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
806-3504
Nº ref. fabric.:
FDMC8030
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET trinchera de potencia de doble canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

Potencia 33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.9W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

0.75mm

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

Lead-Free and RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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