MOSFET onsemi FDN8601, VDSS 100 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 759-9651
- Nº ref. fabric.:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
50 Disponible para entrega en 2 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,826 €
(exc. IVA)
0,999 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 0,826 € | 4,13 € |
| 10 - 95 | 0,656 € | 3,28 € |
| 100 - 495 | 0,522 € | 2,61 € |
| 500 - 995 | 0,44 € | 2,20 € |
| 1000 + | 0,36 € | 1,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 759-9651
- Nº ref. fabric.:
- FDN8601
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 183 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,5 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 2.92mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3 nC a 10 V |
| Longitud | 1.4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 0.94mm |
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDN8601, VDSS 100 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3 pines, ,...
- MOSFET onsemi FDN359BN, VDSS 30 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3 pines, ,...
- MOSFET onsemi FDN359AN, VDSS 30 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3 pines, ,...
- MOSFET Vishay IRFL014TRPBF, VDSS 60 V, ID 2,7 A, SOT-223 de 3...
- MOSFET Infineon IRLML2030TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3...
- MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, VDSS 60 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3...
- MOSFET Infineon IRLML0060TRPBF, VDSS 60 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3...
- MOSFET onsemi FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,...