MOSFET onsemi FDN359AN, VDSS 30 V, ID 2,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 761-9840
- Nº ref. fabric.:
- FDN359AN
- Fabricante:
- onsemi
30 Disponible para entrega en 24/48 horas
590 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,371 €
(exc. IVA)
0,449 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 + | 0,371 € | 3,71 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 761-9840
- Nº ref. fabric.:
- FDN359AN
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 75 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 1.4mm |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 5 nC a 5 V |
| Longitud | 2.92mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 0.94mm |
- Código RS:
- 761-9840
- Nº ref. fabric.:
- FDN359AN
- Fabricante:
- onsemi
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