Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86242, VDSS 150 V, ID 4.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 759-9692
Nº ref. fabric.:: FDS86242
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86242, VDSS 150 V, ID 4.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 759-9692
Nº ref. fabric.:: FDS86242
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	126mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.81V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	4mm
	Anchura	5 mm
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 126mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.81V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.9nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 4mm
	Anchura 5 mm
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86242, VDSS 150 V, ID 4.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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