MOSFET onsemi FDS86252, VDSS 150 V, ID 4,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 759-9695
- Nº ref. fabric.:
- FDS86252
- Fabricante:
- onsemi
2500 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Tiras de 2)
0,975 €
(exc. IVA)
1,18 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Cinta* |
| 2 - 8 | 0,975 € | 1,95 € |
| 10 - 98 | 0,83 € | 1,66 € |
| 100 - 498 | 0,62 € | 1,24 € |
| 500 - 998 | 0,53 € | 1,06 € |
| 1000 + | 0,475 € | 0,95 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 759-9695
- Nº ref. fabric.:
- FDS86252
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 105 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 5 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 5mm |
| Longitud | 4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 10,6 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.5mm |
- Código RS:
- 759-9695
- Nº ref. fabric.:
- FDS86252
- Fabricante:
- onsemi
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