Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

Código RS:: 230-9091
Nº ref. fabric.:: NTMC083NP10M5L
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

900,00 €

(exc. IVA)

1.100,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2500 +	0,36 €	900,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 230-9091
Nº ref. fabric.:: NTMC083NP10M5L
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	NTMC0
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	83mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	3.1W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS Compliant
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado SOIC
	Serie NTMC0
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 83mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 3.1W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS Compliant
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - NTMC083NP10M5L

El MOSFET de canal n y canal P doble de ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Se utiliza típicamente para rectificación síncrona y conversión dc-dc.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto

Pérdida de conducción baja

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas de conducción

Huella estándar

QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor

La pieza no está protegida contra ESD

Estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR y cumplen con RoHS

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

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