MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NTMC083NP10M5L, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

5,24 €

(exc. IVA)

6,34 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Existencias limitadas
  • Disponible(s) 12.260 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 900,524 €5,24 €
100 - 2400,452 €4,52 €
250 - 4900,392 €3,92 €
500 - 9900,344 €3,44 €
1000 +0,329 €3,29 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
230-9092
Nº ref. fabric.:
NTMC083NP10M5L
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

NTMC0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

83mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal n y canal P doble de ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Se utiliza típicamente para rectificación síncrona y conversión dc-dc.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto

Pérdida de conducción baja

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas de conducción

Huella estándar

QG y capacitancia bajos para minimizar las pérdidas del conductor

La pieza no está protegida contra ESD

Estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR y cumplen con RoHS

Enlaces relacionados