MOSFET onsemi FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 759-9715P
Nº ref. fabric.:: FDT86113LZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un carrete)**. Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Unidades	Por unidad
50 - 95	0,736 €
100 - 495	0,638 €
500 - 995	0,562 €
1000 +	0,51 €

**precio indicativo

Código RS:: 759-9715P
Nº ref. fabric.:: FDT86113LZ
Fabricante:: onsemi

FDT86113LZ, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	189 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,1 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	6.7mm
Longitud	3.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor