Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL60N10F7, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Código RS:: 786-3741
Nº ref. fabric.:: STL60N10F7
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL60N10F7, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:: 786-3741
Nº ref. fabric.:: STL60N10F7
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	PowerFLAT
	Serie	STripFET H7
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	16.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	0.95mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5.4mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 60A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado PowerFLAT
	Serie STripFET H7
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 0.95mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5.4mm
	Estándar de automoción No

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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