MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2.076,00 €

(exc. IVA)

2.511,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 14 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,692 €2.076,00 €

*precio indicativo

Código RS:
168-6989
Nº ref. fabric.:
STL60N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STripFET H7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.35 mm

Longitud

5.4mm

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados