MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7002LT3G, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 791-6025
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002LT3G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 200 unidades)*
13,20 €
(exc. IVA)
16,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 16.400 Envío desde el 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 200 - 800 | 0,066 € | 13,20 € |
| 1000 - 1800 | 0,047 € | 9,40 € |
| 2000 + | 0,046 € | 9,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 791-6025
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002LT3G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002L | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.94mm | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N7002L | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.94mm | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines