MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R6-60BS,118, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
798-2987
Nº ref. fabric.:
PSMN4R6-60BS,118
Fabricante:
Nexperia
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

211W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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