MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R4-30BLE,118, VDSS 30 V, ID 120 A, TO-263, Mejora de 3 pines

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Código RS:
554-331
Nº ref. fabric.:
PSMN3R4-30BLE,118
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PSMN3R4-30BLE

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.1mm

Longitud

14.8mm

Certificaciones y estándares

IEC 60134

Anchura

9.7 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de nivel lógico Nexperia en encapsulado D2PAK está homologado hasta 175 °C. Está diseñado y cualificado para su uso en una amplia gama de equipos industriales, de comunicaciones y domésticos. Se utiliza en aplicaciones como fusible electrónico, intercambio en caliente, interruptor de carga y arranque suave.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas

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