MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R4-30BLE,118, VDSS 30 V, ID 120 A, TO-263, Mejora de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

2,18 €

(exc. IVA)

2,64 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 759 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 92,18 €
10 - 241,97 €
25 +1,75 €

*precio indicativo

Código RS:
554-331
Nº ref. fabric.:
PSMN3R4-30BLE,118
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-263

Serie

PSMN3R4-30BLE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60134

Longitud

14.8mm

Altura

4.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de nivel lógico Nexperia en encapsulado D2PAK está homologado hasta 175 °C. Está diseñado y cualificado para su uso en una amplia gama de equipos industriales, de comunicaciones y domésticos. Se utiliza en aplicaciones como fusible electrónico, intercambio en caliente, interruptor de carga y arranque suave.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.