MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-30BLEJ, VDSS 30 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 5 pines

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Código RS:
219-444
Nº ref. fabric.:
PSMN1R5-30BLEJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PSM

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

228nC

Disipación de potencia máxima Pd

401W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de nivel lógico de Nexperia está alojado en un encapsulado D2PAK y está calificado para funcionar hasta 175 °C. Está diseñado para su uso en una amplia gama de aplicaciones industriales, de comunicaciones y domésticas, ofreciendo un rendimiento fiable en entornos exigentes.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas

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