MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
124-2410
Nº ref. fabric.:
PSMN1R7-60BS,118
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

137nC

Disipación de potencia máxima Pd

306W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.3mm

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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