MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
802-1008
Nº ref. fabric.:
NTD20N06T4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NTD

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

46mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.87V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.29mm

Anchura

9.65 mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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