MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
202-5689
Nº ref. fabric.:
NTBG040N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Tensión directa Vf

3.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

15.7mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de impulso.

Resistencia de drenaje a conexión de fuente 40mO

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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