MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBG040N120SC1, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 202-5690
- Nº ref. fabric.:
- NTBG040N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 202-5690
- Nº ref. fabric.:
- NTBG040N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 106nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 357W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 15.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 106nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 357W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 15.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L
El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de impulso.
Resistencia de drenaje a conexión de fuente 40mO
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS
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