MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD6415ANLT4G, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 10 unidades)*

11,46 €

(exc. IVA)

13,87 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 120 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
10 - 901,146 €11,46 €
100 - 2400,988 €9,88 €
250 +0,857 €8,57 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
802-1030
Nº ref. fabric.:
NTD6415ANLT4G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

NTD6415ANL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


Enlaces relacionados