MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIHF9Z14S-GE3, VDSS 60 V, ID 4.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
815-2673
Nº ref. fabric.:
SIHF9Z14S-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF9Z14S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-5.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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