MOSFET Vishay SIHFBC30S-GE3, VDSS 600 V, ID 3,6 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Documentación Técnica

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,2 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	74 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	10.67mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Ancho	9.65mm
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C